本文转自：重庆日报

中科院重庆研究院史浩飞：

攻克石墨烯制备和应用关键技术

　　“晚上要召集十几个团队成员进行视频会议，推进一项石墨烯光电器件领域国家项目的方案论证工作。”11月13日，当重庆日报记者电话联系上中国科学院重庆绿色智能技术研究院微纳制造与系统集成研究中心主任、智能制造技术研究所副所长、研究员史浩飞时，他刚趁空隙吃完了晚饭。

　　作为我国石墨烯材料领域的主要学术与技术带头人，史浩飞凭借多年来在这一领域作出的突出贡献，11月12日荣获了第十七届中国青年科技奖。

　　史浩飞是河南洛阳人，年中科院重庆研究院成立，在国外从事博士后研究工作的他，满怀干事创业的热情回国来到重庆。

　　当时国内石墨烯材料制备技术的研究还处于起步阶段，史浩飞带领团队从零开始探索。年，史浩飞带领团队攻克了大面积单层石墨烯规模化制备技术，建成了国内外首条量产的石墨烯薄膜生产线，整体技术实现转移转化，产生了显著的经济和社会效益。

　　作为首席科学家和项目负责人，十余年来，史浩飞主持了国家重点研发计划等国家级科研项目6项、省部级项目10余项，针对高质量石墨烯材料制备和应用的关键技术瓶颈，从理论、方法、工艺等方面进行了深入系统研究，取得了一系列进展。今年4月，他们在石墨烯材料制备上取得重要突破，实现了在非单晶衬底上生长石墨烯。

　　“人们常说好土壤才能种出好庄稼，但我们通过努力，让不好的‘土壤’也能种出好‘庄稼’！”史浩飞笑着说，如果把石墨烯比作“庄稼”，衬底就是石墨烯生长的“土壤”。最初，他们是在多晶铜衬底生长石墨烯，并实现了规模化制备，但石墨烯晶界的存在导致其性能达不到理想状态。近年来，研究人员发现在单晶铜衬底可以生长单晶石墨烯，有效消除晶界的影响，不足的是，衬底处理起来时间周期长、规模化制备成本高。

　　如今，他们实现在非单晶衬底生长单晶石墨烯，一方面打破了学术界“多晶衬底生长多晶石墨烯、单晶衬底生长单晶石墨烯”的传统认识，另一方面衬底处理时间从过去数十小时大幅缩短至十几分钟，在降低规模化制备成本的同时，保证了石墨烯的性能，将有效推动高质量石墨烯的规模化制备和应用。

　　史浩飞表示，目前，他们正在围绕国家重大需求，积极开展石墨烯光电器件等领域的关键技术攻关，为我国核心元器件领域的高质量发展提供支撑。

　　“此次荣获中国青年科技奖，是一份肯定，更是一份重任。”史浩飞称，“我们将坚持‘四个面向’，进一步聚焦重大科学问题和关键技术，为建设科技强国，加快实现高水平科技自立自强作出积极贡献！”