在后摩尔时代，场效应晶体管的发展路线主要有两条：其一，从工艺技术上把器件线宽进一步做得更小；其二，从材料着手探寻新的先进材料以进一步提升晶体管性能并减小器件尺寸。

来自上海交通大学电子信息与电气工程学院微纳电子学系的陈长鑫教授告诉DeepTech，“我们目前的研究属于第二条途径。”

克服二维石墨烯和碳纳米管在电子和光电子器件领域的应用限制

陈长鑫告诉DeepTech，二维石墨烯的迁移率高达,cm2V1s1,，但其半金属（带隙为零）的特性使其在电子和光电子器件领域的应用受到限制。其中一个解决方法是将石墨烯制成一维的石墨烯纳米带。由于石墨烯纳米带的宽度很窄，量子限域效应和边缘效应可使得石墨烯的带隙被打开。

此前研究表明，宽度小于10nm的石墨烯纳米带由于量子限制和边缘效应而转变成半导体。它们呈现出与宽度成反比的带隙，其带隙值依赖于石墨烯纳米带的边缘手性以及扶手椅型石墨烯纳米带的family类型。特别是，宽度小于5nm的石墨烯纳米带可能具有相当大的带隙，适合晶体管器件应用。

在下一代晶体管的候选材料中，碳纳米管也受到了一定

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