本文要点：

制造超软，高迁移率电子纳米器件的新的下限

成果简介

当材料接近原子长度标度时，连续谱定律通常会失效，这反映了其基本物理学的变化以及获得非常规性质的机会。这些连续极限在二维材料中很明显，对于它们的弯曲刚度或厚度如何缩放尚无共识。通过组合的计算和电子显微镜实验，测量石墨烯的弯曲刚度，获得了单层1.2–1.7eV。此外，发现几层石墨烯的弯曲刚度随弯曲角度的变化而急剧下降，三层石墨烯的弯曲刚度几乎提高了％。这种软化是由于原子层之间的剪切，滑移和超润滑性的出现而引起的，并且与标度功率从立方到线性的逐渐变化相对应。

图文导读

图1：在hBN台阶上弯曲的FLG的制造和STEM成像。

图2：根据STEM图像测量弯曲刚度。

图3：FLG中弯曲刚度的DFT计算和与实验的比较。

图4：FLG中的原子尺度弯曲机制。

小结

结果对2D材料和设备的机械性能具有重要意义。表明制造超软，高迁移率电子纳米器件的新的下限。对于十层石墨烯，我们表明弯曲刚度可以低至18eV，比传统薄膜力学，预测的弯曲刚度低三个数量级。尽管我们专注于石墨烯的性能，但我们的结论应推广到其他范德华粘合材料。最后，这些结果对于设计新型的高度弯曲的纳米系统（例如，纳米机电系统，可拉伸电子器件和由2D材料制成的折纸结构）将非常重要。

参考文献：

Ultrasoftslip-mediatedbendinginfew-layergraphene