本文要点：

多层石墨烯（CVD-MG）直接转换为氧化石墨烯（CVD-MGO）的方法

成果简介

氧化石墨烯（GO）具有广阔的前景，因为通过取代官能团和可控制的d-间距。但是，最常用的制备GO的方法是基于强氧化剂的化学剥落，形成片状分散体，该分散体用于形成聚集的片状薄膜。然而，由于它们的不连续和无定形形态，这种GO膜具有差的热，电子和机械性能。

本文中，报告一种新颖且快速的方法，通过将化学气相沉积的多层石墨烯（CVD-MG）直接转换为氧化石墨烯（CVD-MGO）来获得大而连续的GO多层。氧化过程使用在镍（CVD-MG/Ni）上生长的CVD-MG，将温和的酸混合物与镍箔的机械支撑相结合，以氧化CVD-MG而不会撕裂基面。XPS，EDX和拉曼光谱证明了MG已完全转化为CVD-MGO。XRD还显示出CVD-MGO的结晶度高于Flake-GO膜。通过减少连续的CVD-MGO，可以获得导电的还原GO（CVD-rGO），达到原始CVD-MG电导的80％。我们将CVD-MG直接转换为CVD-MGO的结果显示，有望改善GO的传输性能，并提高过滤和分子分离的性能。

图文导读

图1、CVDhummer法

图2。从CVD石墨烯到氧化石墨烯的转化

图3。CVD-MG，CVD-MGO和Flake-GO（FGO）的XPS和拉曼

图4。CVD-MGO和Flake-GO的SEM和XRD

图5。CVD-MG，CVD-MGO和CVD-rMGO的IV曲线

小结

总之，提出将CVD-MG有效且直接地转换为CVD-MGO的方法。尽管典型方法会导致化学剥落薄片，然后将薄片剥落成薄片随机排列，但本研究方法保留CVD-MG结构的完整性。EDX和XPS元素分析证实了氧结合基团已掺入薄膜中，拉曼光谱表明我们的CVD多层石墨烯与参比片状石墨烯氧化物样品之间存在明显的匹配。XRD显示，与我们的Flake-GO样品相比，此方法可生产具有改善的晶体结构的GO膜。电学测量表明还原的CVD-MGO膜具有高电导率，接近原始CVD-MG膜，表明该膜具有分层结构和连续性。

改进的CVD-Hummers方法的一个关键方面是使CVD-MG附着在生长镍的衬底上，从而能够在氧化过程中保持薄膜的结构。所生产的CVD-MGO膜可立即用作膜，从而有可能大规模生产带有可重复使用的CVD镍箔的GO膜。或可用CVD-Hummers方法合成膜能够在能量存储，电池，过滤和渗透性方面具有出色的离子和电子传输性能。

文献

DirectchemicalconversionofcontinuousCVDgraphene/graphitefilmstographeneoxidewithoutexfoliation