本文要点：

对电介质表面和石墨烯上SWCNT网络中的电荷传输进行了详细研究

成果简介

透明导电膜（TCF）具有重要的技术意义。高透射率，电导率和机械强度使单壁碳纳米管（SWCNT）成为TCF原材料的理想选择。尽管单个SWCNT中有弹道传输，但SWCNT网络的电导率受到管元件之间电荷隧穿效率低的限制。本文，我们证明了在石墨烯上制造时通过氯化金（AuCl3）掺杂获得高透光率的纳米管网络薄层电阻降低了50％以上。然而，尽管拉曼光谱揭示了AuCl3光谱特征的实质性变化掺杂纳米管，石墨烯不会发生这种情况。取而代之的是，依赖于温度的传输的测量表明，石墨烯衬底降低了隧穿势垒高度，同时其平行电导率贡献是几乎可以忽略。所述石墨烯衬底和AUCL3掺杂，带来的SWCNT薄膜的薄层电阻降低到36Ω/□。

图文导读

图1.TCF的制造和光电性能。

图2.温度相关的电导。

图3.光谱表征。

图4.薄膜形态。

小结

本文碳纳米管在原始碳和掺杂态下在碳纳米管和介电基体上的SWCNT网络中电荷传输的机理。观察结果表明，在石墨烯上，纳米管网络的电导率增加的量与化学掺杂引起的电导率相似。拉曼光谱测量结果表明，石墨烯和纳米管层之间没有大量的电荷转移。取而代之的是，通过与温度相关的电导率测量来探究，石墨烯载体充当各个管和束之间的耦合层。这通过分子界面的直接原子规模观察进一步证明，该分子界面表现出牢固结合的范德华界面，从而降低了材料内的隧穿势垒高度。

参考文献：

EnhancedTunnelinginaHybridofSingle-WalledCarbonNanotubesandGraphene