日前，金博股份宣布，与天科合达达成战略合作，合作期五年。一方面，双方将共同研发用于第三代半导体的热场材料、保温材料与粉体材料；另一方面，金博将以优于市场的价格、优先保供天科合达；天科合达在同等性价比条件下，优先采购金博的热场、保温与粉体材料。

此前，金博股份在半导体领域已通过神工股份、山东有研半导体（有研硅）、海纳半导体等公司认证。而公开资料显示，天科合达主营业务为第三代半导体碳化硅晶片的研究、开发及生产。

本次合作也意味着第三代半导体厂商对碳基复合材料的青睐。

实际上，除了已被大众熟知的光伏热场，碳基复合材料还可应用于半导体热场。

出于降本需求，半导体硅片主流尺寸如今已增至12英寸，目前全球约七成的半导体硅片产能可生产12英寸硅片。不过，大尺寸硅片需要更大投料量的单晶炉，而随着单炉投料量从kg增至kg以上，传统石墨热场承重能力难以支撑，业内主流观点认为，后续行业将切换到抗折强度高的碳基复合材料热场。

除去已获金博股份供应的前述几家公司之外，也有多家海外半导体巨头已与东洋碳素、西格里等碳素企业形成长期合作关系。

而如今，以碳化硅为首的第三代半导体兴起，更为碳基复合材料热场填上一层增量空间。前文提及的东洋碳素、西格里均选择逐步退出光伏市场，将重心放在半导体——尤其是碳化硅上。

随着新能源汽车、光伏等下游领域发展渐入佳境，碳化硅器件需求随之见涨，而衬底正是SiC器件的关键环节，占全产业链价值链47%，对产业放量具有决定性作用。

其中，高纯碳化硅粉体是制备碳化硅衬底的关键原材料，其纯度、颗粒度、晶型等性能，对衬底生长质量、电学性能，甚至碳化硅器件质量都有着重要影响。

另外，目前行业内普遍采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅单晶衬底，热场主要采用细结构石墨，随着技术进步和单晶碳化硅尺寸增加，碳碳复合材料有望替代细结构石墨用作PVT热场部件。

总体来说，进口热场及保温材料在衬底成本中占比40%。据东吴证券测算，实现本土化后，保守估计热场占碳化硅整体投资价值的15%。年碳化硅热场及保温材料市场空间可达53亿元，分析师认为，市场空间广阔，且技术壁垒高，优先本土化的供应商有望获得高市占率。

来源：财联社亲，点击下方的“阅读原文”，立即报名参加第五届硅基负极研讨会！